自旋電子器件基于電子自旋進行信息傳遞、處理與存儲,相比于傳統半導體電子器件,具有存儲密度高、能耗低、響應快等優點,硬盤磁頭是自旋電子學領域最早商業化的產品。此外,尚有許多充滿潛力的應用,如磁性隨機內存、自旋場發射晶體管、自旋發光二極管等。其中,半金屬磁性材料由于可以提供完全自旋極化的載流子,被視為構建自旋電子器件的理想材料。為使自旋電子器件能在常溫下工作,半金屬磁性材料必須具有高于室溫的鐵磁居里溫度、較寬的半金屬能隙,以及顯著的磁各向異性能,此前人們還沒有找到同時滿足這些條件的磁性材料。
楊金龍教授研究組基于兩種已經存在的物質,設計一種新型層狀合金材料。這種材料是與傳統“1111”型鐵基超導體同構的反鐵磁半導體材料,但可以誘導該材料從反鐵磁半導體轉變成鐵磁半金屬。理論預測新材料的居里溫度、半金屬能隙均能達到要求,磁各向異性能比已獲得的半金屬材料高一至兩個數量級,這一成果有望對自旋電子器件研究和應用產生重要影響。